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必看|小功率无刷直流电机MOS管烧坏原因-KIA MOS管
必看|小功率无刷直流电机MOS管烧坏原因-KIA MOS管,一般几种情况：1.启动电流过大，未做任何保护2.上下桥臂直通，瞬间过电流3.死区时间过短，反电动势导致反向击穿4.硬件不确定故障，偶发现象5.控制算法是否有误。www.kiaic.com/article/detail/2456.html 2020-11-17
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电路图开关符号 电工电路图开关符号详解大全（实物篇）KIA MOS管
开关电路图表符号一般分为：限定符号、一般符号、方框符号、以及标记或字符。电路图开关符号限定符号不能单独使用，必须同其他符号组合使用，构成完整的图形符号。如交流电动机的图表符号，由文字符号、交流的限定符号以及轮廓要素组成。延时过流继电器图形符号...www.kiaic.com/article/detail/838.html 2020-11-16
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nce（新洁能）公司简介与官网详情-nce产品应用领域及新品-KIA MOS管
nce新洁能公司官网：http://www.ncepower.com。nce无锡新洁能股份有限公司于2013年01月05日在无锡市工商行政管理局登记成立。法定代表人朱袁正，公司经营范围包括电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让等。无锡新洁能（nce）专业从事半导体功率器件的研发...www.kiaic.com/article/detail/1841.html 2020-11-16
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24V开关电源电路图 24V电源电路设计原理图详解 KIA MOS管
开关电源广泛应用在广告灯箱、通讯器材、工控自动化、小功率直流电机供电等需220V或110V交流电转换为直流电的场所。分为单组、双组、三组、四组四种规格，功率范围从15W~500W，输出有-5V、5V、-12V、12V、-24V、24V、48V等常规电压。www.kiaic.com/article/detail/807.html 2020-11-16
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集成电路知识|MOS集成电路中的寄生效应分析-KIA MOS管
MOS集成电路中的寄生效应:在MOS集成电路中，除了电路设计中需要的MOS管外，还存在着一些不需要的寄生MOS晶体管和电容，它们将给集成电路的正常工作带来不利的影响，下面将介绍这些MOS集成电路中的寄生效应。（1）寄生MOS管,MOS集成电路中，当电路铝引线串过两个...www.kiaic.com/article/detail/2451.html 2020-11-16
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MOS管小电流发热严重如何解决？一文解析-KIA MOS管
MOS管小电流发热严重如何解决？一文解析-KIA MOS管,小电流MOS管发热分析-MOS管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一...www.kiaic.com/article/detail/2452.html 2020-11-16
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什么是MOS控制晶闸管(MCT)|MOS控制晶闸管(MCT)介绍-KIA MOS管
MOS控制晶闸管(MCT)相关解析,MCT (Mlos Controlled GTO) MOS和GTO复合器件，在导通时门极反偏，P沟MOS起作用，截止时门极正偏N沟MOS起作用。MCT结构原理图，如图所示MCT具有电流密度高的特点，200℃时达500A/cm2，小元件达6kA/cm2导通电压低、损耗低、耐di/dt及...www.kiaic.com/article/detail/2453.html 2020-11-16
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MOS管知识|VMOS场效应管是什么？-KIA MOS管
VMOS场效应管详解-VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作...www.kiaic.com/article/detail/2454.html 2020-11-16
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VMOS分享-感温VMOS场效应管主要特性解析-KIA MOS管
感温VMOS场效应管主要特性(1)这是一套N型智能VMOS功率器件,在器件的栅源极间制作了一个温度传感器。当漏极散热器的温度达到155~160℃时，通过温度传感器器件可自行关断，从而避免损坏。器件的电路符号见图5-18。(2)通过在器件外围简单加2~3个元件，即使器件在负...www.kiaic.com/article/detail/2450.html 2020-11-13
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集成运算放大器|场效应管集成运放详解-KIA MOS管
场效应管集成运算放大器-场效应管集成运放：集成电路一般是在一块厚0.2~0.5mm、面积约为0.5mm2的硅片，上通过平面工艺制做成的。这种硅片( 称为集成电路的基片)上可以做出包含为数十个(或更多)二极管、电阻、电容和连接导线的电路。www.kiaic.com/article/detail/2449.html 2020-11-13
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步进电机驱动器-步进电机驱动器工作原理及设计电路图解析-KIA MOS管
步进电机工作原理，步进电机驱动器，步进电机驱动步进电机驱动器电路设计解析步进电机在控制系统中具有普遍的应用。它能够把脉冲信号转换成角位移，并且可用作电磁制动轮、电磁差分器、或角位移发作器等。有时从一些旧设备上拆下的步进电机（这种电机普通没有损...www.kiaic.com/article/detail/897.html 2020-11-12
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CMOS是什么 CMOS图像传感器基本原理 BIOS与CMOS的区别 KIA MOS管
CMOS图像传感器的应用，新一代图像系统的开发研制得到了极大的发展，并且随着经济规模的形成，其生产成本也得到降低。现在，CMOS图像传感器的画面质量也能与CCD图像传感器相媲美，这主要归功于图像传感器芯片设计的改进，以及亚微米和深亚微米级设计增加了像素...www.kiaic.com/article/detail/772.html 2020-11-12
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MOS管知识|解析MOSFET中的噪声-KIA MOS管
MOSFET中的噪声-噪声源:MOS器件的本底噪声是器件中电压和电流的自发涨落，与电子电荷的离散性紧密相关。噪声的影响受器件及其所在电路放大能力的限制。外界噪声可以通过适当的屏蔽处理进行减弱或消除，但是本底噪声由器件自发产生，不能完全消除。www.kiaic.com/article/detail/2448.html 2020-11-12
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干货详解|安装和更换MOS管注意事项-KIA MOS管
安装和更换MOS管注意事项:一、安装和更换MOS管前的准备1.由于MOS管栅极绝缘层很薄，栅漏电容较小。有U=Q/C，所以静电和感应电压成正比。人体静电电压就极易对管子的栅极造成损坏。2.不要人体直接触碰管子栅极。www.kiaic.com/article/detail/2447.html 2020-11-12